Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistoren für Leistungsanwendungen im GHz-Bereich

Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistoren für Leistungsanwendungen im GHz-Bereich

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High Electron Mobility Transistoren (HEMTs), basierend auf dem Materialsystem GaN/AlGaN/GaN, wurden entworfen, hergestellt und elektrisch charakterisiert. Für das Maskendesign kam das CAD-Programm LasiCAD zum Einsatz. Das Design umfasste bis zu sechs Lithographieebenen. Die Herstellung der Bau...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Wächtler, Thomas
Other Authors: TU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Format: Others
Language:deu
Published: Universitätsbibliothek Chemnitz 2005
Subjects:
GaN/AlGaN/GaN
High Electron Mobility Transistor
LasiCAD
MBE
Maskenentwurf
ddc:620
Drei-Fünf-Halbleiter
Elektronisches Bauelement
Galliumnitrid
Großsignalverhalten
HEMT
Heterostruktur
Heterostruktur-Bauelement
Hochfrequenztechnik
Kleinsignalverhalten
Metall-Halbleiter-Kontakt
Mikroelektronik
Molekularstrahlepitaxie
Photolithographie <Halbleitertechnologie>
Wide-gap-Halbleiter
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200501943
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200501943
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/5115/data/BerichtLucent.pdf
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/5115/20050194.txt
Description
Summary:High Electron Mobility Transistoren (HEMTs), basierend auf dem Materialsystem GaN/AlGaN/GaN, wurden entworfen, hergestellt und elektrisch charakterisiert. Für das Maskendesign kam das CAD-Programm LasiCAD zum Einsatz. Das Design umfasste bis zu sechs Lithographieebenen. Die Herstellung der Bauelemente geschah unter Reinraumbedingungen und unter Nutzung einer vorhandenen Technologie für Transistoren mit kleiner Gate-Peripherie (Doppelgate-Transistoren), die teilweise optimiert wurde. Daneben wurden Prozesse zur Herstellung von Multifinger-HEMTs entwickelt, wobei die Metallisierung der Drainkontakte mittels Electroplating von Gold vorgenommen wurde. Zur elektrischen Charakterisierung der Bauelemente wurden sowohl Gleichstromcharakteristiken, d.h. die Ausgangskennlinienfelder und Verläufe der Steilheit, als auch das Großsignalverhalten für cw-Betrieb bei 2 GHz gemessen. Dabei zeigten die Transistoren eine auf die Gatebreite bezogene Ausgangsleistungsdichte von mehr als 8 W/mm und eine Effizienz größer als 40%, einhergehend mit vernachlässigbarer Drainstromdispersion der unpassivierten Bauelemente.

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