Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistoren für Leistungsanwendungen im GHz-Bereich

Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistoren für Leistungsanwendungen im GHz-Bereich

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High Electron Mobility Transistoren (HEMTs), basierend auf dem Materialsystem GaN/AlGaN/GaN, wurden entworfen, hergestellt und elektrisch charakterisiert. Für das Maskendesign kam das CAD-Programm LasiCAD zum Einsatz. Das Design umfasste bis zu sechs Lithographieebenen. Die Herstellung der Bau...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Wächtler, Thomas
Other Authors: TU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Format: Others
Language:deu
Published: Universitätsbibliothek Chemnitz 2005
Subjects:
GaN/AlGaN/GaN
High Electron Mobility Transistor
LasiCAD
MBE
Maskenentwurf
ddc:620
Drei-Fünf-Halbleiter
Elektronisches Bauelement
Galliumnitrid
Großsignalverhalten
HEMT
Heterostruktur
Heterostruktur-Bauelement
Hochfrequenztechnik
Kleinsignalverhalten
Metall-Halbleiter-Kontakt
Mikroelektronik
Molekularstrahlepitaxie
Photolithographie <Halbleitertechnologie>
Wide-gap-Halbleiter
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200501943
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200501943
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/5115/data/BerichtLucent.pdf
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/5115/20050194.txt

Internet

http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200501943
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200501943
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/5115/data/BerichtLucent.pdf
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/5115/20050194.txt

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