Schnelle Dioden mit tiefen Donatoren aus Selen

Schnelle Dioden mit tiefen Donatoren aus Selen

Die Anforderungen an schnelle Dioden sind sehr hoch für große Spannungen und große Ströme. Die Beeinflussung des Bauelementverhaltens durch das Design des Dotierprofils mit einem tiefen mehrstufigen Feldstopp aus Selen bildet einen zentralen Punkt der Dissertation. Mit physikalischen Messverfahren w...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Pertermann, Eric
Other Authors: TU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Format: Doctoral Thesis
Language:deu
Published: Universitätsbibliothek Chemnitz 2017
Subjects:
Bauelementsimulation
Admittanzspektroskopie
Selen in Silizium
Charakterisierung von Störstellen
Softness
diode
switching behaviour
semiconductor device simulation
admittance spectroscopy
selenium in silicon
characterization of impurities
robustness
softness
ddc:537
ddc:600
Diode
Schaltverhalten
Impedanzspektroskopie
Robustheit
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-219603
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-219603
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/21960/Dissertation_Pertermann%20PDFA-2b.pdf
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/21960/signatur.txt.asc

Internet

http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-219603
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-219603
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/21960/Dissertation_Pertermann%20PDFA-2b.pdf
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/21960/signatur.txt.asc

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