Silizium- und SiC-Leistungsdioden unter besonderer Berücksichtigung von elektrisch-thermischen Kopplungseffekten und nichtlinearer Dynamik

Silizium- und SiC-Leistungsdioden unter besonderer Berücksichtigung von elektrisch-thermischen Kopplungseffekten und nichtlinearer Dynamik

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Diese Arbeit befasst sich mit Hochleistungsdioden aus den Halbleitermaterialen Silizium und Siliziumkarbid. Analysiert werden die statischen und dynamischen Schalteigenschaften. Bei den SiC-Bauelementen handelt es sich um unipolare Schottky-Dioden und bei den Silizium-Dioden um bipolare pin-Dioden....

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Felsl, Hans Peter
Other Authors: TU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Format: Doctoral Thesis
Language:deu
Published: Universitätsbibliothek Chemnitz 2010
Subjects:
Abschaltverhalten
Filamentierung
Kommutierungsverhalten
Reverse Recovery
Stromfilament
Stromfilamentierung
Wärmekapazität
Wärmeleitung
bipolar diode
current filament
electro-thermal behavior
elektrothermisches Verhalten
negativ differential resistance
negativ differentielle Sperrcharakteristik
nichtlineare Dynamik
non linear dynamics
pin Diode
pin diode
schottky diode
silicon carbide
silicon diode
unipolar diode
ddc:620
Diode
Leistungselektronik
Schaltverhalten
Schottky-Diode
Silicium
Siliciumcarbid
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-200902077
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-200902077
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/5927/data/H_P_Felsl_Diss_2009_12.pdf
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/5927/20090207.txt

Internet

http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-200902077
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-200902077
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/5927/data/H_P_Felsl_Diss_2009_12.pdf
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/5927/20090207.txt

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