Transparent rectifying contacts on wide-band gap oxide semiconductors

Die vorliegenden Arbeit befasst sich mit der Herstellung und Charakterisierung von transparenten Metall-Halbleiter- Feldeffekttransistoren. Dazu werden im ersten Kapitel transparente gleichrichtende Kontakte, basierend auf dem Konzept von Metalloxidkontakten, hergestellt und im Hinblick auf chemis...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Lajn, Alexander
Other Authors: Universität Leipzig, Halbleiterphysik
Format: Doctoral Thesis
Language:English
Published: Universitätsbibliothek Leipzig 2013
Subjects:
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:15-qucosa-102799
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:15-qucosa-102799
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/10279/Diss_Lajn.pdf