Verspannungstechniken zur Leistungssteigerung von SOI-CMOS-Transistoren

Verspannungstechniken zur Leistungssteigerung von SOI-CMOS-Transistoren

Mit dem Erreichen der Grenzen der konventionellen MOSFET-Skalierung werden neue Techniken untersucht, um die Leistungsfähigkeit der CMOS-Technologie dem bisherigen Trend folgend weiter zu steigern. Einer dieser Ansätze ist die Verwendung mechanischer Verspannungen im Transistorkanal. Mechanische Ver...

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Bibliographic Details
Main Author: Flachowsky, Stefan
Other Authors: Technische Universität Dresden, Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik
Format: Doctoral Thesis
Language:deu
Published: Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden 2010
Subjects:
CMOS
Verspannungstechniken
verspanntes Silizium
Skalierung
mechanisch verspannte Transistoren
TCAD
Ladungsträgerbeweglichkeit
stress techniques
strained silicon
scaling
mechanicaly stressed transistors
carrier mobility
ddc:620
rvk:ZN 4960
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-63136
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-63136
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/6313/Stefan%20Flachowsky%20-%20Dissertation%202010.pdf

Internet

http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-63136
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-63136
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/6313/Stefan%20Flachowsky%20-%20Dissertation%202010.pdf

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