Supraleitung in Gallium-implantiertem Silizium

Supraleitung in Gallium-implantiertem Silizium

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der elektrischen Charakterisierung 10 nm dünner Schichten bestehend aus amorphen Ga-Nanoclustern eingebettet in Ga-dotiertes polykristallines Si. Die Herstellung der Schichten geschieht via Ionen-Implantation in Si-Wafer samt anschließender thermischer Aus...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Skrotzki, Richard
Other Authors: Technische Universität Dresden, Fakultät Mathematik und Naturwissenschaften
Format: Doctoral Thesis
Language:deu
Published: Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden 2016
Subjects:
Supraleiter
Halbleiter
Silizium Wafer
amorphes Gallium
Dünnschicht
nanokristallines Gefüge
Ionen-Implantation
Fotolithografie
fokussierter Ionenstrahl
elektrischer Transport
hohe Magnetfelder
Supraleiter-Isolator-Übergang
Netzwerk aus Josephson-Kontakten
Phaseslip-Ereignisse
doppelt reentrante Supraleitung
supraleitende Fluktuationen
Little-Parks-Effekt
superconductor
semiconductor
silicon wafer
amorphous gallium
thin film
nanocrystalline structure
ion-implantation
photolithography
focused-ion beam
electrical transport
high magnetic fields
superconductor-insulator transition
Josephson-junction array
phase-slip events
double reentrant superconductivity
superconducting fluctuations
Little-Parks effect
ddc:530
rvk:UP 2200
Silicium
Gallium
Ionenimplantation
Dünne Schicht
Elektronischer Transport
Metall-Isolator-Phasenumwandlung
Josephson-Gitter
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-207365
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-207365
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/20736/Dissertation_Richard_Skrotzki_PDFA.pdf

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