Optimierung des Wärme- und Stofftransports bei der Kristallisation aus Halbleiterschmelzen
Bei der industriellen Herstellung von Halbleitern, wie Silizium und GaAs erfolgt die Züchtung ausnahmslos aus der Schmelze. Die dabei herrschenden Konvektionsverhältnisse in der Schmelze sind maßgeblich für die Verteilung von Dotierstoffen, Verunreinigungen und Defekten im Kristall verantwortlich. I...
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| Format: | Doctoral Thesis |
| Language: | deu |
| Published: |
Technische Universitaet Bergakademie Freiberg Universitaetsbibliothek "Georgius Agricola"
2009
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-5599894 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-5599894 http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/2211/WerkstoffwissenschaftenBellmannMartin559989.pdf |