Untersuchungen zur Thermolyse der CVD-Precursoren Methyltrichlorsilan und Trimethoxyboran
In dieser Arbeit werden Mechanismen zur thermischen CVD von Siliciumcarbid aus Methyltrichlorsilan (MTS) und von Bornitrid aus Trimethoxyboran-Ammoniak- Gasmischungen diskutiert. Dazu werden die gebildeten Schichten und die entstehenden Reaktionsgasphasen in Abhängigkeit von den Prozeßparametern T...
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2001
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ndltd-DRESDEN-oai-qucosa-de-qucosa-176782021-03-30T05:05:45Z Untersuchungen zur Thermolyse der CVD-Precursoren Methyltrichlorsilan und Trimethoxyboran urn:nbn:de:bsz:ch1-200100127 ger In dieser Arbeit werden Mechanismen zur thermischen CVD von Siliciumcarbid aus Methyltrichlorsilan (MTS) und von Bornitrid aus Trimethoxyboran-Ammoniak- Gasmischungen diskutiert. Dazu werden die gebildeten Schichten und die entstehenden Reaktionsgasphasen in Abhängigkeit von den Prozeßparametern Temperatur und Eduktgaszusammensetzung untersucht. Durch Zusatz der bei der MTS-Thermolyse entstehenden gasförmigen Produkte zum Eduktgasstrom können Korrelationen zwischen den Produktkonzentrationen in der Gasphase und deren Einfluß auf die abgeschiedenen Schichten aufgezeigt werden. An Hand dieser Ergebnisse wird für die MTS-Thermolyse ein Reaktionsschema aufgestellt, welches sowohl primäre und sekundäre Gasphasenreaktionen als auch Oberflächenreaktionen umfaßt. Darauf aufbauend wird eine Methode zur Ermittlung der Schichtzusammensetzung durch Analyse des Reaktionsabgases vorgestellt und mit den Ergebnissen der ESMA-Untersuchungen verglichen. Im zweiten Teil der Arbeit wird der Einfluß von Ammoniak auf die Thermolyse von Trimethoxyboran und die dabei entstehenden Schichten untersucht. Die Charakterisierung der Bornitrid/Boroxid-Schichten erfolgt durch Ramanspektroskopie. Zur qualitativen Analyse dünner BN-Schichten auf faserförmigen Substraten wird der Einsatz von oberflächenverstärkter Ramanspektroskopie vorgestellt. info:eu-repo/classification/ddc/540 ddc:540 info:eu-repo/classification/ddc/660 ddc:660 Siliciumcarbid Bornitrid MOCVD-Verfahren Gaschromatographie Infrarotspektroskopie Raman-Spektroskopie Methyltrichlorsilan Trimethoxyboran Mechanismus Thermolyse Heinrich, Jens Technische Universität Chemnitz 2001-02-22 2001-02-22 2001-12-19 info:eu-repo/semantics/openAccess doc-type:doctoralThesis info:eu-repo/semantics/doctoralThesis doc-type:Text https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A17678 https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A17678/attachment/ATT-0/ https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A17678/attachment/ATT-1/ https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A17678/attachment/ATT-2/ |
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In dieser Arbeit werden Mechanismen zur thermischen CVD von Siliciumcarbid aus
Methyltrichlorsilan (MTS) und von Bornitrid aus Trimethoxyboran-Ammoniak-
Gasmischungen diskutiert. Dazu werden die gebildeten Schichten und die entstehenden
Reaktionsgasphasen in Abhängigkeit von den Prozeßparametern Temperatur und
Eduktgaszusammensetzung untersucht. Durch Zusatz der bei der MTS-Thermolyse
entstehenden gasförmigen Produkte zum Eduktgasstrom können Korrelationen zwischen den
Produktkonzentrationen in der Gasphase und deren Einfluß auf die abgeschiedenen Schichten
aufgezeigt werden. An Hand dieser Ergebnisse wird für die MTS-Thermolyse ein
Reaktionsschema aufgestellt, welches sowohl primäre und sekundäre Gasphasenreaktionen
als auch Oberflächenreaktionen umfaßt. Darauf aufbauend wird eine Methode zur Ermittlung
der Schichtzusammensetzung durch Analyse des Reaktionsabgases vorgestellt und mit den
Ergebnissen der ESMA-Untersuchungen verglichen.
Im zweiten Teil der Arbeit wird der Einfluß von Ammoniak auf die Thermolyse von
Trimethoxyboran und die dabei entstehenden Schichten untersucht. Die Charakterisierung der
Bornitrid/Boroxid-Schichten erfolgt durch Ramanspektroskopie. Zur qualitativen Analyse
dünner BN-Schichten auf faserförmigen Substraten wird der Einsatz von
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