刺激重覆出現對遺忘曲線的影響
本研究目的在討論下列假說(A) 刺激先在神經系統留下活動性記憶痕跡，然後轉入 構造性記憶痕跡(B) 記憶痕跡不會自然衰退(G) 刺激重覆出現是一種尋找過程(D) 新刺激如在活動性記憶痕跡找到舊刺激，使成為短暫記憶，如在構造性記憶痕跡找 到，便成長期記憶。實驗1 在此較短暫記憶與長期記憶下的遺忘曲線。結果支持我 們的假說。結論是除了上面假說獲得支持外，我們認為刺激重覆出現除有尋找功能 外，還能歸併消息單位，使我們的神經系統不會因為刺激數目的增多而爆滿。在教 育上的涵義是如果使教材分佈的重覆出現，則教材易轉入長期記憶，考試可當作使 教材重覆出現的工具之一。...
| Main Authors: | , |
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| Language: | 中文 |
| Published: |
國立政治大學
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://thesis.lib.nccu.edu.tw/cgi-bin/cdrfb3/gsweb.cgi?o=dstdcdr&i=sid=%22B2002009345%22. |