Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil
Le but de cette thèse est de réaliser et d'étudier les propriétés électroniques d'un transistor à canal nanofil monocristallin à base de Si/SiGe (voir figure), élaboré par croissance CVD-VLS, à grille enrobante ou semi-enrobante en exploitant une filière technologique compatible CMOS. Ces...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université de Grenoble
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00981971 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/98/19/71/PDF/32132_ROSAZ_2012_archivage.pdf |