Effet de champ dans le diamant dopé au bore

Dans ce projet de thèse, deux voies visant l'élaboration de transistors à effet de champ en diamant ont été explorées : le delta-doping et la structure métal oxyde semi-conducteur (MOS). Plusieurs couches nanométriques delta-dopées au bore ont été épitaxiées et caractérisées par effet Hall. Un...

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Bibliographic Details
Main Author: Chicot, Gauthier
Language:English
Published: Université de Grenoble 2013
Subjects:
MOS
FET
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00968699
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/96/86/99/PDF/These_GC_140217.pdf