Transport électronique à travers deux dopants, en régime statique et dynamique dans des transistors silicium
Dans cette thèse, nous nous sommes intéressés à l'étude à basse température de dispositifs en silicium de taille nanométrique. Dans ces dispositifs, il est possible de faire passer le courant électrique à travers un nombre réduit de dopants. Nous avons étudié plus spécifiquement le cas de deux...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université de Grenoble
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00947330 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/94/73/30/PDF/30412_ROCHE_2012_archivage.pdf |