Puits quantiques GaN/Al(Ga)N pour l'optoélectronique inter-sous-bande dans l'infrarouge proche, moyen et lointain
Ce mémoire résume des efforts dans la conception électronique, la croissance épitaxiale et la caractérisation des puits quantiques GaN/Al(Ga)N qui constituent la région active des composants inter-sous-bande (ISB) à base de semi-conducteurs nitrures pour l'optoélectronique dans l'infraroug...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université de Grenoble
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00870408 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/87/04/08/PDF/31533_KOTSAR_2012_archivage.pdf |