Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS

• Main Author: Jouvet, Nicolas
• Language: FRE
• Published: INSA de Lyon 2012
• Subjects: [SPI:OTHER] Engineering Sciences/Other; Electronique; Circuit intégré Complementary Metal Oxide SemiConductor - CMOS; Transistor MOSFET - Composant à effet de champ à grille isolée; Composant à un électron; Transistor à un électron - SET; Nanotechnologie; Nanodamascène; Caractérisation électrique
• Online Access: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00863770; http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/86/37/70/PDF/these.pdf

Cette étude porte sur l'intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d'économies d'énergies, mais ne peuvent complètement remplacer le CMOS dans les circuits électriques. Cependant, la combinaison des composants SETs et MOS permet de pallier à ce problème, ouvrant la voie à des circuits à très faible puissance dissipée, et à haute densité d'intégration. Cette thèse se propose d'employer pour la réalisation de SETs dans le back-end-of-line (BEOL), c'est-à-dire dans l'oxyde encapsulant les CMOS, le procédé de fabrication nanodamascène, mis au point par C. Dubuc.