Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS
Cette étude porte sur l'intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d'économies d'énergies, mais ne peuvent complètement remplacer le CMOS dans le...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
INSA de Lyon
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00863770 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/86/37/70/PDF/these.pdf |