Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS

Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS

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Cette étude porte sur l'intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d'économies d'énergies, mais ne peuvent complètement remplacer le CMOS dans le...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Jouvet, Nicolas
Language:FRE
Published: INSA de Lyon 2012
Subjects:
[SPI:OTHER] Engineering Sciences/Other
Electronique
Circuit intégré Complementary Metal Oxide SemiConductor - CMOS
Transistor MOSFET - Composant à effet de champ à grille isolée
Composant à un électron
Transistor à un électron - SET
Nanotechnologie
Nanodamascène
Caractérisation électrique
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00863770
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/86/37/70/PDF/these.pdf
Description
Summary:Cette étude porte sur l'intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d'économies d'énergies, mais ne peuvent complètement remplacer le CMOS dans les circuits électriques. Cependant, la combinaison des composants SETs et MOS permet de pallier à ce problème, ouvrant la voie à des circuits à très faible puissance dissipée, et à haute densité d'intégration. Cette thèse se propose d'employer pour la réalisation de SETs dans le back-end-of-line (BEOL), c'est-à-dire dans l'oxyde encapsulant les CMOS, le procédé de fabrication nanodamascène, mis au point par C. Dubuc.

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