Etude de la variabilité en technologie FDSOI : du transistor aux cellules mémoires SRAM
La miniaturisation des transistors MOSFETs sur silicium massif présente de nombreux enjeux en raison de l'apparition de phénomènes parasites. Notamment, la réduction de la surface des dispositifs entraîne une dégradation de la variabilité de leurs caractéristiques électriques. La technologie pl...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université de Grenoble
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00845680 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/84/56/80/PDF/33070_MAZURIER_2012_archivage1.pdf |