Dispositifs innovants à pente sous le seuil abrupte : du TEFT au Z²-FET

Dispositifs innovants à pente sous le seuil abrupte : du TEFT au Z²-FET

Show other versions (1)

Tunnel à effet de champ (TFET) et un nouveau composant MOS à rétroaction que nous avons nommé le Z2-FET.Le Z2-FET est envisagé pour la logique faible consommation et pour les applications mémoire compatibles avecles technologies CMOS avancées. Nous avons étudié de manière systématique des TFETs avec...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Wan, Jing
Language:fra
Published: Université de Grenoble 2012
Subjects:
[SPI:OTHER] Engineering Sciences/Other
[SPI:OTHER] Sciences de l'ingénieur/Autre
Commutation abrupte
Silicium-sur-isolant (SOI)
Tunnel FET
MOSFET
Rétroaction
Z2-FET
Cellule mémoire à un transistor
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00845632
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/84/56/32/PDF/31691_WAN_2012_archivage1.pdf

Similar Items

Similar Items