Dispositifs innovants à pente sous le seuil abrupte : du TEFT au Z²-FET
Tunnel à effet de champ (TFET) et un nouveau composant MOS à rétroaction que nous avons nommé le Z2-FET.Le Z2-FET est envisagé pour la logique faible consommation et pour les applications mémoire compatibles avecles technologies CMOS avancées. Nous avons étudié de manière systématique des TFETs avec...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université de Grenoble
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00845632 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/84/56/32/PDF/31691_WAN_2012_archivage1.pdf |