Nanofils de semiconducteurs à grande énergie de bande interdite pour des applications optoélectroniques
Depuis le début des années 2000, une vaste classe de nanofils de nitrures d'éléments III et de ZnO peut être synthétisée avec un excellent contrôle des propriétés de dopage et de composition. La géométrie spécifique de ces nanofils permet de faire croître des hétérostructures radiales et axiale...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Paris Sud - Paris XI
2012
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| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00746091 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/74/60/91/PDF/VA2_JACOPIN_GWENOLE_20120926.pdf |