Croissance par épitaxie par jets moléculaires, et détermination des propriétés structurales et optiques de nanofils InGaN/GaN
Ce travail a porté sur la croissance par épitaxie par jets moléculaires de nanofils InGaN/GaNsur Si (111).Le dépôt d'InGaN en conditions riches azote sur des nanofi ls GaN pré-existants permet deconserver la structure colonnaire. La morphologie des nanofi ls s'est révélée dépendre fortemen...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université de Grenoble
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00745125 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/74/51/25/PDF/These_GT_finale.pdf |