Étude et optimisation de l'émission et de l'extraction de lumière des nanofils semiconducteurs grand gap : application à des dispositifs électroluminescents

Les diodes électroluminescentes (LEDs) bleues ou blanches actuelles sont constituées de couches épitaxiales planaires, essentiellement à base de GaN. Sans autres opérations technologiques, la réflexion totale interne aux interfaces réduit le nombre de photons extraits à quelques pourcents du nombre...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Henneghien, Anne-Line
Language:FRE
Published: Université de Grenoble 2010
Subjects:
GaN
ZnO
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00558359
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/55/88/04/PDF/these_henneghien.pdf