Étude de la nucléation et de la croissance de structures filaires GaN et AlN
Le travail présenté dans ce manuscrit traite de la compréhension des processus de croissance de structures colonnaires de matériaux semiconducteurs nitrures. La technique de croissance utilisée est l'épitaxie par jets moléculaires assistée par plasma (PA-MBE). Plusieurs types d'expériences...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
2010
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00529998 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/52/99/98/PDF/ThA_se.pdf |