Nanostructures Al(Ga)N/GaN pour l'optoélectronique intersousbande dans l'infrarouge proche et moyen
Ce travail a porté sur la modélisation, l'épitaxie et la caractérisation de puits quantiques et de boîtes quantiques Al(Ga)N/GaN, qui forment la région active de composants intersousbande (ISB) opérant dans l'infrarouge proche (NIR) et l'infrarouge moyen (MIR). La croissance de ces st...
| Main Author: | |
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| Language: | ENG |
| Published: |
Université de Grenoble
2010
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00517495 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/51/74/95/PDF/ThA_se_Kandaswamy.pdf |