EVOLUTION MORPHOLOGIQUE DES NANOSTRUCTURES Si1-xGex PENDANT LA CROISSANCE PAR EJM
Les hétérostructures à base d'alliage Silicium Germanium (SiGe) sont utilisées dans certains transistors depuis la fin des années '90. De nouveaux composants très prometteurs pour la nanoélectronique pourraient être fabriqués en utilisant les propriétés quantiques d'objets de basse di...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université de la Méditerranée - Aix-Marseille II
2003
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00504903 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/50/49/03/PDF/these_finale_fichierunique.pdf |