MODELISATION DU TRANSPORT SOUS CONTRAINTE MECANIQUE DANS LES TRANSISTORS SUB-65 NM POUR LA MICROELECTRONIQUE CMOS
La course à la miniaturisation des transistors MOS (Métal Oxyde Semiconducteur) implique l'utilisation de nouvelles technologies d'amélioration des performances. Notamment, l'ingénierie de contrainte mécanique est aujourd'hui devenue une étape incontournable. Dans ce contexte, le...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Paris Sud - Paris XI
2008
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00491513 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/49/15/13/PDF/KarimHuet_These2008.pdf |