Étude de la mobilité des porteurs dans des transistors MOS intégrant un oxyde de grille de forte permittivité et une grille métallique
Afin de satisfaire aux exigences de plus en plus contraignantes imposées par la Roadmap ITRS, l'industrie microélectronique doit aujourd'hui envisager un certain nombre de révolutions dans ses procédés de fabrication des composants. En effet, la seule miniaturisation des dimensions du tran...
| Main Author: | |
|---|---|
| Language: | FRE |
| Published: |
2009
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00476706 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/47/67/06/PDF/These_Thevenod_Finale.pdf |