EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES ASSISTEE PLASMA DE NITRURES DU GROUPE III ORIENTES (11-22)
Ce travail a porté sur la croissance par épitaxie par jets moléculaires de semiconducteurs nitrures semipolaires orientés (11-22) déposés sur des substrats de saphir m. L'orientation cristallographique (11-22) est obtenue lors du dépôt d'AlN en excès d'azote. Sur cette couche tampon d...
| Main Author: | |
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| Language: | ENG |
| Published: |
2009
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00466167 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/46/61/67/PDF/These_VF.pdf |