Contribution à l'étude expérimentale du transport dans les transistors de dimensions déca-nanométriques des technologies CMOS sub-45nm

Contribution à l'étude expérimentale du transport dans les transistors de dimensions déca-nanométriques des technologies CMOS sub-45nm

La miniaturisation des composants électroniques qui permet aujourd'hui une intégration à grande échelle a été possible grâce aux innovations des procédés de fabrication. Ces modifications affectent profondément le comportement électrique des transistors MOS lorsque la longueur de grille devient...

Full description

Bibliographic Details
Main Author:	Fleury, Dominique
Language:	FRE
Published:	2009
Subjects:	[SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics transistor MOS caractérisation électrique méthodologie d'extraction longueur effective mobilité transport balistique dérive-diffusion fonction-Y performance
Online Access:	http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00461948 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/46/19/48/PDF/Manuscrit_de_these_Dominique_FLEURY_.pdf http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/46/19/48/ANNEX/Slides_Soutenance_de_these_Dominique_FLEURY_.pdf

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