Contribution à l'étude expérimentale du transport dans les transistors de dimensions déca-nanométriques des technologies CMOS sub-45nm
La miniaturisation des composants électroniques qui permet aujourd'hui une intégration à grande échelle a été possible grâce aux innovations des procédés de fabrication. Ces modifications affectent profondément le comportement électrique des transistors MOS lorsque la longueur de grille devient...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
2009
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00461948 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/46/19/48/PDF/Manuscrit_de_these_Dominique_FLEURY_.pdf http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/46/19/48/ANNEX/Slides_Soutenance_de_these_Dominique_FLEURY_.pdf |