CARACTÉRISATION ET MODÉLISATION DES TRANSISTORS CMOS DES TECHNOLOGIES 50nm ET EN DEÇÀ
L'objet de ce mémoire est de présenter le travail effectué au cours de cette thèse qui était de caractériser électriquement et de modéliser le transport électrique de trois architectures de transistors MOS pour des filières 50nm et en deçà : CMOS Si à oxyde ultrafin, nMOS Si:C et pMOS SiGe. Afi...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
2004
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00460563 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/46/05/63/PDF/These_romanjek.pdf |