Defect engineering in H and He implanted Si

Defect engineering in H and He implanted Si

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Ce travail porte sur l'étude des phénomènes induits par implantation d'hydrogène et/ou d'hélium dans le silicium monocristallin. Le cloquage et l'exfoliation dus à la coimplantation d'hélium et d'hydrogène ont été étudiés en fonction des paramètres d'implantation (...

Full description

Bibliographic Details
Main Author:	Reboh, Shay
Language:	FRE
Published:	Université de Poitiers 2008
Subjects:	[CHIM:MATE] Chemical Sciences/Material chemistry [PHYS:PHYS] Physics/Physics silicium implantation ionique hélium hydrogène DRX MET contrainte SEM élasticité
Online Access:	http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00459734 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/45/97/34/PDF/Thesis_Reboh.pdf

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