Defect engineering in H and He implanted Si
Ce travail porte sur l'étude des phénomènes induits par implantation d'hydrogène et/ou d'hélium dans le silicium monocristallin. Le cloquage et l'exfoliation dus à la coimplantation d'hélium et d'hydrogène ont été étudiés en fonction des paramètres d'implantation (...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université de Poitiers
2008
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00459734 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/45/97/34/PDF/Thesis_Reboh.pdf |