Contraintes locales induites par le procédé « Shallow Trench Isolation » : Diffraction X haute résolution et simulation par éléments finis
La procédé STI (« Shallow Trench Isolation ») est couramment utilisé dans la microélectronique afin d'isoler électriquement les dispositifs entre eux. Les nombreuses étapes de ce procédé engendrent des contraintes mécaniques très importantes qui peuvent nuire à la fiabilité. L'originalité...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
2008
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00419896 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/41/98/96/PDF/Manuscrit_MichelEberlein_vf.pdf |