Contraintes locales induites par le procédé « Shallow Trench Isolation » : Diffraction X haute résolution et simulation par éléments finis

La procédé STI (« Shallow Trench Isolation ») est couramment utilisé dans la microélectronique afin d'isoler électriquement les dispositifs entre eux. Les nombreuses étapes de ce procédé engendrent des contraintes mécaniques très importantes qui peuvent nuire à la fiabilité. L'originalité...

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Bibliographic Details
Main Author: Eberlein, Michel
Language:FRE
Published: 2008
Subjects:
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00419896
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/41/98/96/PDF/Manuscrit_MichelEberlein_vf.pdf