Croissance d'hétérostructures à base de GaN sur substrat de silicium orienté (001): applications aux transistors à haute mobilité d'électrons
L'hétéro-épitaxie de structures à base de GaN est réalisée, depuis les années 1990, principalement sur trois types de substrat : le carbure de silicium (SiC), le saphir (Al2O3) et le silicium (Si). Ce dernier possède les avantages d'une conductivité thermique identique à celle du GaN, d�...
| Main Authors: | , |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université de Nice Sophia-Antipolis
2007
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00396384 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/39/63/84/PDF/These_final_sj.pdf |