Elaboration et caractérisation de couches ultra-minces de silicate de baryum en tant qu'oxyde de grille alternatif

La miniaturisation des dispositifs élémentaires de la technologie CMOS impose le remplacement de l'oxyde de silicium pour l'élaboration de l'oxyde de grille. Par l'identification des conditions de formation du silicate de baryum au contact direct du substrat de silicium, cette ét...

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Bibliographic Details
Main Author: Genevès, Thomas
Language:FRE
Published: Université de Bourgogne 2008
Subjects:
XPS
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00359449
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/35/94/49/PDF/These_Thomas_GENEVES.pdf