Etude d'une nouvelle filière de composants sur technologie nitrure de gallium. Conception et réalisation d'amplificateurs distribués de puissance large bande à cellules cascodes en montage flip-chip et technologie MMIC.

Ces travaux de recherche se rapportent à l'étude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour l'amplification de puissance micro-onde. Une étude des caractéristique des matériaux grand gap et plus particulièrement du GaN est réaliséé afin de mettre en exergue l'adéquation de leurs...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Martin, Audrey
Language:FRE
Published: Université de Limoges 2007
Subjects:
GaN
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00271472
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/27/14/72/PDF/These_Audrey_Martin.pdf