Réalisation de structures silicium-sur-isolant partielles pour applications aux circuits de puissance
Le terme SOI (Silicon On Insulator) identifie une structure du type «substrat silicium / film isolant / couche mince de silicium». Depuis les années 70, de nombreux travaux ont été menés afin d'élaborer ce type de structures. Le LEGO (Lateral Epitaxial Growth over Oxide) est une technique basée...
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Paul Sabatier - Toulouse III
2006
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| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00245808 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/24/58/08/PDF/LEGO_final.pdf |