Étude et modélisation compacte d'un transistor MOS SOI double-grille dédié à la conception
Nous proposons un modèle compact du transistor MOS double-grille silicium sur isolant (SOI) en mode de fonctionnement symétrique. Le modèle est basé sur le formalisme EKV et offre les caractéristiques suivantes : une expression analytique simple décrivant le comportement statique et dynamique du dis...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Louis Pasteur - Strasbourg I
2007
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00206167 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/20/61/67/PDF/these_birahim_diagne.pdf |