Croissance épitaxiale d'oxydes "high-κ" sur silicium pour CMOS avancé : LaAlO3, Gd2O3, γ-Al2O3
La miniaturisation depuis 50 ans des composants, transistors MOSFET à base de silicium, dans les technologies CMOS est de plus en plus limité par l'apparition de phénomènes quantiques dans les dispositifs de taille sub-0,1 µm. L'épaisseur requise pour l'isolant de grille devenant trop...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Ecole Centrale de Lyon
2007
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| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00201791 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/20/17/91/PDF/Clement_Merckling_-_These_de_Doctorat_-_Croissance_Epitaxiale_d_oxydes_High-k_sur_Si_-_STMicroelectronics_INL_-_Ecole_Centrale_de_Lyon.pdf |