Contribution à l'étude des propriétés dynamiques du transistor métal-oxyde-semiconducteur à canal vertical (V-MOS)
ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT, STATISTIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR MOS A CANAL VERTICAL, QUI APPARTIENT A LA FAMILLE DES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE. ON DECRIT LES PRINCIPALES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE REALISEES DANS LE MONDE, LEURS PARTICULARITES ET LEURS CARACTERISTI...
| Main Author: | |
|---|---|
| Language: | FRE |
| Published: |
Université Paul Sabatier - Toulouse III
1979
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00178831 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/17/88/31/PDF/2034.pdf |