Contribution à l'étude par simulation atomistique des dislocations dans les semiconducteurs
Ce document décrit les résultats de plusieurs études des dislocations dans les semiconducteurs, effectuées au cours de la période 2000-2005. Le premier chapitre se rapporte à la nucléation des dislocations à partir de défauts de surface, le second chapitre à la détermination de diverses propriétés d...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université de Poitiers
2005
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00170884 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/17/08/84/PDF/habil.pdf |