Approche du potentiel effectif pour la simulation Monte-Carlo du transport électronique avec effets de quantification dans les dispositifs MOSFETs
Le transistor MOSFET atteint aujourd'hui des dimensions nanométriques pour lesquelles les effets quantiques ne peuvent plus être négligés. Il convient donc de développer des modèles qui, tout en décrivant précisément les phénomènes physiques du transport électronique, rendent compte de l'i...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Paris Sud - Paris XI
2006
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00165490 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/16/54/90/PDF/MA_Jaud_these.pdf |