Etude par simulations et calculs atomistiques, de la formation de dislocations aux défauts de surface dans un cristal de silicium soumis à des contrainte
Dans cette thèse, nous avons étudié au moyen de simulations atomistiques, la nucléation des dislocations à partir de marche de surface dans un cristal de silicium soumis à des contraintes. Afin de déterminer le potentiel interatomique le mieux approprié à cette étude, nous avons comparé les potentie...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université de Poitiers
2004
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00154364 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/15/43/64/PDF/these_j.godet_27-09-04_hyperlink.pdf |