Etude du comportement de la charge d'espace dans les structures MOS. Vers une analyse du champ électrique interne par la méthode de l'onde thermique.

• Main Author: Fruchier, Olivier
• Language: FRE
• Published: Université Montpellier II - Sciences et Techniques du Languedoc 2006
• Subjects: [SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics; [PHYS:PHYS] Physics/Physics; Isolants; Oxydes; Fiabilité; Charges d'espace; Méthode de l'onde thermique; Tension de seuil; Tension de bandes-plates; MOS
• Online Access: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00140084; http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/14/00/84/PDF/These_Fruchier_Olivier.pdf

L'isolant électrique est un élément essentiel des composants électroniques. Or, à cause des défauts présents dans l'isolant, des dysfonctionnements apparaissent dans les équipements électroniques provoquant des problèmes de fiabilité. Il est donc essentiel de quantifier et d'identifier la nature des charges d'espaces crées par ces défauts. Pour des raisons de miniaturisation des composants, les techniques de caractérisations actuelles semblent montrer leurs limites. La méthode de l'onde thermique permet de quantifier et de donner la répartition de la charge d'espace sur une forte épaisseur de diélectrique. L'adaptabilité de la méthode pour des couches diélectriques beaucoup plus minces ainsi que l'étude des résultats obtenus constitue l'essentiel du travail de cette thèse. La méthode proposée permet de donner les tensions caractéristiques de la structure MOS tout en effectuant une analyse en régime statique de la structure.