Etude du comportement de la charge d'espace dans les structures MOS. Vers une analyse du champ électrique interne par la méthode de l'onde thermique.

L'isolant électrique est un élément essentiel des composants électroniques. Or, à cause des défauts présents dans l'isolant, des dysfonctionnements apparaissent dans les équipements électroniques provoquant des problèmes de fiabilité. Il est donc essentiel de quantifier et d'identifie...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Fruchier, Olivier
Language:FRE
Published: Université Montpellier II - Sciences et Techniques du Languedoc 2006
Subjects:
MOS
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00140084
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/14/00/84/PDF/These_Fruchier_Olivier.pdf