Etude de la fiabilité porteurs chauds et des<br />performances des technologies CMOS 0.13 μm - 2nm
Ces travaux sont consacrés à l'étude de la dégradation des transistors MOSFETs de la génération 130nm-2nm, soumis aux injections de porteurs énergétiques générés par les champs électriques élevés. D'une manière générale, les conséquences de ces mécanismes de dégradation se retrouvent dans...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université de Provence - Aix-Marseille I
2006
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| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00117263 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/12/77/78/PDF/these_tdg.pdf |