Propriétés des défauts ponctuels natifs et induits par irradiation dans les polytypes 3C et 6H du carbure de silicium déterminées par annihilation de positons et RPE
Les applications potentielles du carbure de silicium (SiC) en microélectronique ont motivé de nombreuses études sur les défauts ponctuels, qui jouent un rôle important dans la compensation électrique. Ce matériau possède en outre de nombreux atouts pour participer au confinement des matières fissile...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université d'Orléans
2006
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| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00110421 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/11/04/21/PDF/TheseXKerbiriouOnline.pdf |